中关村元坤智造工厂，注册立享优惠！

设为首页 | 加入收藏 | 关于我们 | 订购方式

外部长度/高度

  • 10.54mm
  • 11/2mm

深度/厚度

  • 25mm
  • 21.84mm
  • 1.mm

存储容量

  • 120mAh
  • 300mAh

表面安装器件

  • 快接式
  • 表面安装
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量
UNBRANDED - ECCN_TEST12 - 此库存编号仅用于测试 ECCN12 UNBRANDED - ECCN_TEST12 - 此库存编号仅用于测试 ECCN12
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    UNBRANDED - ECCN_TEST11 - 此库存编号仅用于测试 ECCN11 UNBRANDED - ECCN_TEST11 - 此库存编号仅用于测试 ECCN11
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    UNBRANDED - ECCN_TEST10 - 此库存编号仅用于测试 ECCN10 UNBRANDED - ECCN_TEST10 - 此库存编号仅用于测试 ECCN10
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    UNBRANDED - PH_20080609 - 仅用于测试 UNBRANDED - PH_20080609 - 仅用于测试
  • 深度/厚度:1.mm
  • 电阻:100ohm
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    UNBRANDED - PU_20080515_2 - 仅用于测试 UNBRANDED - PU_20080515_2 - 仅用于测试
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    UNBRANDED - PU_20080515 - 仅用于测试 UNBRANDED - PU_20080515 - 仅用于测试
  • 存储容量:300mAh
  • 深度/厚度:25mm
  • 外部深度:25mm
  • 外部长度/高度:11/2mm
  • 表面安装器件:快接式
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    STMICROELECTRONICS - M4T32-BR12SH6 - 电池+晶振 用于NVRAM STMICROELECTRONICS - M4T32-BR12SH6 - 电池+晶振 用于NVRAM
  • 存储容量:120mAh
  • 输出电压:2.8V
  • 电池技术:Lithium Polymer
  • 电池端子:压力接触
  • 外部高度:10.54mm
  • 外宽:18.03mm
  • 深度/厚度:21.84mm
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 外部深度:21.84mm
  • 外部长度/高度:10.54mm
  • 工作温度最低:-40°C
  • 工作温度最高:85°C
  • 端子类型:SNAPHAT
  • 表面安装器件:表面安装
  • 器件标号:4
  • 封装类型:SOIC
  • 引线直径:0.56mm
  • 引线长度:2.29mm
  • 针脚数:4
    		• 上海 0
    新加坡46
    英国86    		 1 1 询价,无需注册 订购
    共 1 页 | 第 1 页 |  首页 上一页 下一页 尾页