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TOSHIBA - GT15J321 - 晶体管 IGBT 含二极管 600V TO-220NIS   晶体管类型:IGBT 饱和电压, Vce sat 最大:2.45V 电压, Vceo:600V 封装类型:TO-220NIS 上升时间:40ns 下降时间典型值:30ns 下降时间最大:150ns 功率, Pd:30W 功耗:30W 封装类型:TO-220NIS 晶体管极性:N 最大连续电流, Ic:15A 热阻, 结至外壳 A:4.16°C/W 电压, Vces:600V 电流, Icm 脉冲:30A 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器件:通孔安装 上海 0 新加坡 0 英国147 1 1 删除
NXP - BFT93 - 晶体管PNP RF SOT-23   晶体管极性:NPN 电压, Vceo:12V 截止频率 ft, 典型值:5GHz 功耗, Pd:300mW 集电极直流电流:-35mA 直流电流增益 hFE:50 工作温度范围:-65°C to +150??C 关联增益 Ga:16.5dB 噪声:2.4dB 封装类型:SOT-23 晶体管数:1 晶体管类型:小信号RF 测试频率:500MHz 表面安装器件:表面安装 集电极连续电流:-35mA SMD标号:BFT93 封装类型:SOT-23 总功率, Ptot:0.3W 最大连续电流, Ic:35mA 电压, Vcbo:-15V 电流, Ic hFE:30mA 电流, Ic 最大:-35mA 直流电流增益 hfe, 最小值:20 上海 0 新加坡 0 英国4520 1 10 删除