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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格 (不含税) |
数量 |
操作 |
 | UNBRANDED - COMATA REF BOARD - 参考板 COMATA 2.4GHz |
频率覆盖:2.4 GHz
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 | 0325.600HXP | 原装 | 现货 | | 面议 | | 删除 |
 | NATIONAL SEMICONDUCTOR - LM49350RL/NOPB. - 芯片 音频编解码器 高性能 |
芯片 音频编解码器 高性能
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 | ROHM - UMG2NTR - 双晶体管 UM5 NPN/NPN |
模块配置:双
晶体管极性:Dual NPN
电压, Vceo:50V
截止频率 ft, 典型值:250MHz
功耗, Pd:150mW
集电极直流电流:100mA
直流电流增益 hFE:68
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-353
封装类型:SOT-353
晶体管类型:General Purpose
表面安装器件:表面安装
功耗:150mW
最大连续电流, Ic:100mA
直流电流增益 hfe, 最小值:68
| 上海 0 新加坡 0 英国620 | 1 | 10 | | 删除 |
 | VISHAY SFERNICE - P10XXAI504KB30 - 电位器 500K |
总调电阻:500kohm
变化类型:线性
圈数:1
电阻容差 ±:10%
额定电压:250V
系列:P10
额定功率:130mW
安装类型:Through Hole
组数:1
调节类型:Side Adjust
电阻成分类型:Cermet
外宽:9.6mm
外部深度:9.7mm
工作温度范围:-55°C to +125°C
引线直径:0.5mm
温度系数 ±:± 150ppm/°C
表面安装器件:焊接型
轴长度:20mm
| 上海 0 新加坡25 英国29 | 1 | 1 | | 删除 |
 | OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION - K3HBXAD 24VACVDC - 过程多用表 电流 24VAC/DC |
功耗:7W
IP密封等级:IP20
外部深??:95mm
外部长度/高度:48mm
工作温度最低:-10°C
工作温度最高:55°C
电源电压 最大:24V
电源电压 直流 最大:24V DC
功耗:7 W
安装类型:Panel Mount
批准机构:CE, cRUus, UL
用于:Discriminating and Displaying Measurements for Voltage/Current Signals
电流消耗:50mA
电源电压 交流 最大:24V AC
输入:DC Current Input
| 上海 0 新加坡 0 英国1 | 1 | 1 | | 删除 |
 | LT1529IQ-3.3PBF | 原装 | 现货 | | 面议 | | 删除 |
 | OC-260-CAB-107BX-16.384MHz | 原装 | 现货 | | 面议 | | 删除 |
 | BONDHUS - 13189 - 螺丝刀套件 T形 六角球头 米制 8件 |
螺丝刀套件 T形 六角球头 米制 8件
| 美国1 上海 0 美国13 新加坡 0 | 1 | 1 | | 删除 |
 | TEXAS INSTRUMENTS - TXB0104RGYR - 逻辑芯片 电平转换器 4位 14QFN |
输入数:4
输出电流:0.02mA
传播延迟时间:4ns
电源电压范围:1.2V to 3.6V
封装类型:QFN
针脚数:14
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:QFN
上升时间:0.3ns
下降时间:0.3ns
数据率:100Mbps
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:1.2V
电源电流:10μA
表面安装器件:表面安装
通道数:4
逻辑芯片功能:4Bit Bidirectional Voltage Level Translator
逻辑芯片基本号:0104
| 上海 0 新加坡 0 英国2509 | 1 | 1 | | 删除 |
 | DELTA DESIGN - 44700201 - 信号灯柱 发光二极管 低功率 110-230V 琥珀黄 |
光源类型:LED
额定电流:15mA
闪光率, 每分钟:65
外径:76mm
长度:48mm
IP密封等级:IP67
外部长度/高度:48mm
颜色:Amber
| 上海 0 新加坡 0 英国4 | 1 | 1 | | 删除 |
 | N710012BFSE001 CBA61U | 原装 | 现货 | | 面议 | | 删除 |
 | SEMELAB - BUZ900 - 场效应管 MOSFET N TO-3 |
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:160V
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
电压, Vgs 最高:1.5V
功耗:125W
封装类型:TO-3
针脚数:2
功率, Pd:125W
器件标记:BUZ900
封装类型:TO-3
封装类型, 替代:TO-204AA
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vds 典型值:160V
电流, Id 连续:8A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
| 上海 0 新加坡3 英国818 | 1 | 1 | | 删除 |